Жарэс Алфёраў

(Працяг. Пачатак у №№77–84, 86–98.)

27. Жарэс Іванавіч Алфёраў (1 сакавіка 1930 г. – 1 сакавіка 2019 г.)

Жарэс Іванавіч Алфёраў – фізік, лаўрэат Нобелеўскай прэміі (2000).

Ж.Алфёраў з’явіўся на свет у Віцебску ў сям’і Івана Карпавіча і Ганны Уладзіміраўны Алфёравых, якія нарадзіліся і выраслі ў Беларусі. Яго бацька ўдзельнічаў у Кастрычніцкай рэвалюцыі, у часе Грамадзянскай вайны камандаваў кавалерыйскім палком, а потым вучыўся ў Прамысловай акадэміі і стаў адным са стваральнікаў і кіраўніком цэлюлозна-папяровай прамысловасці былога СССР.

Сярэднюю адукацыю Ж.Алфёраў атрымаў у Мінску, дзе скончыў у 1947 годзе з залатым медалём сярэднюю школу №42. Вялікі ўплыў на фарміраванне цікавасці да прыродазнаўчых дысцыплін, і ў першую чаргу да фізікі, аказаў яго школьны настаўнік фізікі Я.Б.Мельцэрсон. Добрая фізіка-матэматычная адукацыя, атрыманая ў Беларусі, дазволіла маладому чалавеку паспяхова паступіць у Ленінградскі электратэхнічны інстытут, які ён скончыў на выдатна ў 1952 годзе. З 1953 года працавал у Фізіка-тэхнічным інстытуце імя А.Ф.Іофэ Расійскай акадэміі навук (з 1973 года – загадчык лабараторыі, з 1987-га – дырэктар). Адначасова з 1972 года – прафесар арганізаваных па яго ініцыятыве кафедр оптаэлектронікі ў Ленінградскім электратэхнічным інстытуце (цяпер С.-Пецярбургскі электратэхнічны ўніверсітэт) і Ленінградскім політэхнічным інстытуце, з 1988-га – дэкан арганізаванага ім фізіка-тэхнічнага факультэта Ленінградскага політэхнічнага інстытута. З 1989 года – старшыня прэзідыума С.-Пецярбургскага навуковага цэнтра Расійскай акадэміі навук. У 1990 годзе абраны віцэ-прэзідэнтам Расійскай акадэміі навук.

У 1972 годзе Ж.Алфёраў абраны членам-карэспандэнтам, а ў 1979-м – сапраўдным членам АН СССР (з 1991-га – акадэмік Расійскай акадэміі навук), з 1995 года – замежны член Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Навуковыя даследаванні Ж.Алфёраў праводзіў у галіне фізікі паўправаднікоў, паўправадніковай і квантавай электронікі, тэхнічнай фізікі. Ён браў дзейсны ўдзел у стварэнні першых айчынных транзістараў, фотадыёдаў, магутных германіевых выпрамляльнікаў. Адкрыў з’явы зверхінжэкцыі, электроннага і аптычнага абмежавання ў гетэраструктурах і паказаў, што ў паўправадніковых гетэраструктурах можна прынцыпова па-новаму кіраваць электроннымі і светлавымі патокамі. Гэта дазволіла кардынальна палепшыць параметры большасці з вядомых паўправадніковых прыбораў і стварыць прынцыпова новыя прыборы, перспектыўныя для выкарыстання ў аптычнай і квантавай электроніцы.

Свае першыя навуковыя даследаванні па фотаправоднасці тэлурыда вісмута ён выканаў у студэнцкія гады. Ужо ў гэтай працы яскрава праявілася адметнасць, якая характарызуе ўсю яго навуковую дзейнасць, – глыбокае пранікненне ў фізіку вывучаемых працэсаў і бліскучая здольнасць выкарыстаць атрыманыя вынікі для стварэння прыбораў, для рашэння канкрэтных фізічных, тэарэтычных і прамысловых задач. Даследаванні ў гэтым напрамку абагульнены ў кандыдацкай дысертацыі, якую ён паспяхова абараніў у 1959 годзе.

У 1967-м Ж.Алфёраў сумесна з калегамі стварыў гетэраструктуры, блізкія па сваіх уласцівасцях да ідэальнай мадэлі паўправадніковага лазера, а потым і першы паўправадніковы гетэралазер, які працаваў у бесперапынным рэжыме пры пакаёвай тэмпературы. На пачатку 1970-х сфармуляваў прынцып стварэння «ідэальнага» пераходу ў шматкампанентных злучэннях і стварыў у хуткім часе лазеры на іх аснове, што дазволіла значна пашырыць дыяпазон выпраменьвання як у інфрачырвоную, так і ў бачную вобласць. Такія лазеры атрымалі выкарыстанне ў якасці крыніц выпраменьвання ў валаконна-аптычных лініях сувязі павышанай адлегласці. Вынікі даследаванняў гетэрапераходаў у паўправадніках Ж.Алфёраў абагульніў у доктарскай дысертацыі, якую паспяхова абараніў у 1970 годзе.

Сумесна з вучнямі Ж.Алфёраваў у 1970 годзе стварыў першыя высокаэфектыўныя фотаэлектрычныя пераўтваральнікі канцэнтраванага сонечнага выпраменьвання. Яны паслужылі падставай для развіцця на прынцыпова новым узроўні даследаванняў у галіне сонечнай энергетыкі. Вынікі фундаментальных прац Ж.Алфёрава пакладзены ў аснову такіх новых навуковых і тэхнічных напрамкаў, як, напрыклад, вытворчасць сонечных элементаў для касмічных батарэй (адна з іх была ўстаноўлена ў 1986 годзе на базавым модулі касмічнай станцыі «Мір» і працавала на арбіце ўвесь тэрмін эксплуатацыі без бачнага памяншэння магутнасці).

З 1983 года прыярытэтны напрамак яго навуковых даследаванняў – сінтэз і даследаванне ўласцівасцяў нанаструктур паменшанай размернасці (квантавых дротаў і квантавых кропак). У 1993–1994 гадах Ж.Алфёраў сумесна з вучнямі ўпершыню рэалізаваў гетэралазер на аснове структур з квантавымі кропкамі – «штучнымі атамамі», якія ўяўляюць сабой паўправадніковыя кластары нанаметровага маштабу, «запячатаныя» (укладзеныя) у матрыцу іншага паўправадніка. Энергетычны спектр такіх утварэнняў, якія складаюцца з некалькіх тысяч атамаў, аналагічны спектру адзіночнага атама. Лазеры, створаныя на аснове такіх структур, характарызуюцца надзвычай высокай тэмпературнай стабільнасцю і на адзін парадак меншай велічынёй парогавага току ў параўнанні з іншымі лазерамі. Гэтымі даследаваннямі Ж.Алфёрава практычна закладзены галоўныя палажэнні прынцыпова новай электронікі на аснове гетэраструктур з шырокім дыяпазонам ужывання, якая вядома сёння як «зонная інжынерыя».

Акадэмік Жарэс Алфёраў – аўтар больш як 500 навуковых прац, у тым ліку 3 манаграфій, больш за 50 вынаходніцтваў. Сярод яго вучняў 48 кандыдатаў і 15 дактароў навук.

За фундаментальныя даследаванні гетэрапераходаў у паўправадніках і стварэнне новых прыстасаванняў на іх аснове Ж.Алфёраву прысуджана Ленінская прэмія СССР (1972), Дзяржаўная прэмія СССР (1984). Ён узнагароджаны Залатым медалём Франклінскага інстытута ЗША (1971). У 2000 годзе яму была прысуджана (сумесна з амерыканскімі вучонымі) Нобелеўская прэмія ў галіне фізікі. Узнагароджаны ордэнамі Леніна, Кастрычніцкай Рэвалюцыі, Працоўнага Чырвонага Сцяга, ордэнам Расійскай Федэрацыі «За заслугі перад Айчынай» II ступені, «Знакам пашаны».

З’яўляўся галоўным рэдактарам часопіса «Пісьмы ў часопіс тэарэтычнай фізікі», членам рэдакцыйнай калегіі часопіса «Фізіка і тэхніка паўправаднікоў», старшынёй Савета па фізіцы і хіміі паўправаднікоў Расійскай АН, членам Еўрапейскага фізічнага таварыства.

У 1989 годзе быў абраны народным дэпутатам СССР. З 1995-га па 2019 год – дэпутат Дзяржаўнай думы Расійскай Федэрацыі.

Памёр 1 сакавіка 2019 года ва ўзросце 88 гадоў у Санкт-Пецярбургу.

(Працяг будзе.)

Публікацыя з № 99 газеты “Народная Воля. Падпісацца на газету.

Поделиться ссылкой:

Падтрымаць «Народную Волю»